mos管工作原理
SDTFCF等卡存储原理或方法,其中的物质是什么?
- 如:软盘硬盘是使用盘面中的磁道中的磁颗粒的南北来存储数据的;光盘是用盘面的中对光反射的有无,凹凸,相位等来存储数据的;内存是用CMOS等电子逻辑门来存储数据的;优盘是用类似于内存的方式,用的是绝缘栅来阻隔电子的方式来在存储数据的；有的显卡是内存可能只是简单的用电容来存储数据的；那SDTFCF等卡是用什么原理与方法来存储数据的呢？理论刷写次数技术升级障碍当前使用技术以后可能使用技术……？
- 闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）。而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用热电子注入方式（电流从浮置栅极到源极）。场效应管工作原理场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。baike.baidu.com/…nx_tGq这些储存卡的储存介质主要是flash芯片。相关资料自己找吧
