MOS管与晶体管相比，优点是？

MOS管与晶体管相比具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势。

MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；

它和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。

延伸阅读

mos管是什么意思？

MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。

一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

为什么场效应晶体管叫这个名字?

1、场效应管的名字来源于它的输入端（称为gate）通过投影p沟道mos管符号

2、一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。

3、事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

4、最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。

5、因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

MOS管是什么？

一、主体不同1、场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。2、MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。二、特性不同1、场效应：不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。2、MOS管：主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。三、规则不同1、场效应：将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。2、MOS管：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。

MOS器件的MOS指什么？

电子元件：

MOS 晶体管

现在的一块处理器芯片中，都有着数以亿计的 MOS 晶体管（MOSFET ），它可以实现几乎所有的逻辑门（与、或、非、与非、或非、异或、同或等等）操作，进而搭建出成千上万种逻辑电路。

晶体管是集成电路中最核心的电子元器件，是计算机内各种芯片的基本组成单元。

理论：

冯诺依曼架构

从计算机发展至今，尽管性能上有了翻天覆地的提升，但是唯一颠扑不破的还是冯诺依曼体系结构，当代计算机无论怎么改进，还是一直遵循着「老冯」的这套理论。

也就是把程序本身当作数据来对待，程序和数据用同样的方式储存，采用二进制，按照程序顺序执行。

打个不恰当的比方。

如果说计算机是一套房子的话，那么晶体管就是砖头，而冯诺依曼体系结构是户型图。

mos是什么电子元件？

MOS管的全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管，英文简称为MOSFET，具有三个电极，分别为：栅极G、源极S和漏极D，根据其半导体结构可以分为P-MOS和N-MOS。

在栅极G和源极S之间不加电压的时候，在DS之间加正电压时，D与衬底的P型半导体之间PN结反偏不通。当GS之间加正电压后，绝缘层和G极之间感应出正电荷，绝缘层和P型半导体之间感应出负电荷。这时负电荷和P型半导体中的载流子的极性相反，会将D和S的N型半导体连接起来形成一条N型的导体沟道。

mos晶体管包括基极吗？

不包括

MOS晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或金属-绝缘体-半导体。MOS管的源漏是可互换的，它们是在P型背栅中形成的N形区域。在大多数情况下，这两个区域是相同的，甚至两端的对准也不会影响器件的性能。这种装置被认为是对称的。

场效应晶体管有三个极：源极、栅极和漏极。